A világ első, egy négyzetmikronos SRAM memóriacellája az Inteltől

Az Intel kutatói elkészítették a világ legkisebb SRAM (Static Random Access Memory) memória celláját, amelynek a mérete mindössze egy négyzetmikron. Ezek a cellák, amelyek az építőelemei a memórialapkáknak, egy minden funkcióval rendelkező SRAM eszközök részeként készültek az Intel következő generációs, 90 nanométeres gyártástechnológiájával. Az eredmény mérföldkő az új technológia 2003-ra tervezett gyártása felé vezető úton. ”Az Intel egy négyzetmikronos SRAM cellája új sűrűségi szintet állít fel a szilícium technológiában” mondta Sunlin Chou rangidős alelnök, az Intel Technology and Manufacturing Group részlegének a vezetője.

A 90 nm-es gyártástechnológiával az Intel gyors ütemben terjeszti ki ezt az eredményét kétévente új gyártástechnológia generáció bevezetésével. A vállalat jó néhány terméket épít majd ezzel a technológiával, beleértve a processzorokat, lapkakészleteket és kommunikációs termékeket. Az Intel tervei szerint a 90 nm-es technológiát kizárólag 300 mm-es szeleteken használja majd.

Az Intel kutatói 52 megabites lapkákat építettek, mindegyik 330 millió tranzisztort tartalmaz és a lapka mérete mindössze 109 négyzetmilliméter (kisebb mint egy tízcentes euró érme). Ezek a valaha készült legmagasabb kapacitású SRAM lapkák. Ezek a lapkák az Intel 300 milliméteres szeletek kifejlesztését végző D1C gyárában készültek, 193 nanométeres és 248 nanométeres litográfiai eszközök kombinált alkalmazásával. Az Intel D1C gyára az Oregon állambeli Hillsboro-ban található.

Rendszerint az SRAM lapkákat használják teszt eszközként a következő generációs gyártástechnológia kifejlesztéséhez. A kisméretű memóriacella azért jelentős, mert lehetővé teszi, hogy az Intel költséghatékony módon növelje a mikroprocesszorok teljesítményét, a lapkán nagyobb gyorsítótár memória elhelyezésével és az elemsűrűség növelésével. A működő SRAM lapkák demonstrálják a 90 nm-es gyártástechnológia valamennyi, a mikroprocesszorokhoz szükséges jellemzőjének a sikeres megvalósítását, beleértve a nagy teljesítményű tranzisztorokat és összeköttetéseket.