Új memóriatechnológiák a Samsungtól

A tervezés és a gyártás területén iparági vezető szerepét kihasználva, a Samsung bemutatta a világ első 70 nanométeres (nm) 4 Gigabit (Gb) kapacitású NAND Flash memóriáját és egy 80 nm-es DRAM eszközt.

Emellett a vállalat bemutatott egy Fusion Memory nevű egylapkás memóriamegoldást, amely a többlapkás csomagot és a rendszercsomag koncepciót viszi tovább a memóriát és a logikát egyesítő termék felé.
˝A Samsung nagy befektetéseket preferáló stratégiája a következő generációs tervezés és gyártási technológiák területén lehetővé tette a vállalat számára egy egyedi, fejlett memóriaportfolió kialakítását. Ezek a fejlett memóriaeszközök arra készültek, hogy kielégítsék a holnap digitális piacának konvergenciából és mobilitásból fakadó kihívásait˝ – mondta Dr. Chang Gyu Hwang, a Samsung memória divíziójának elnöke. ˝A különálló memóriakomponensek a mobil és a digitális fogyasztói piacok digitális konvergenciából fakadó követelményeit nehezen teljesítik. A Samsung fejlett memóriamegoldásai kulcsszerepet fognak játszani a digitális termékek új generációjának életre hívásakor˝.

4 Gb NAND Flash memória 70 nm-es technológiával
A Samsung világ első 4 Gb kapacitású NAND flash memóriája a NAND flash memóriák negyedik generációja, amely a növekedési görbét követve évente megkétszerezi a kapacitását: 256 Mb 1999-ben, 512 Mb 2000-ben, 1 Gb 2001-ben, 2 Gb 2002-ben és 4 Gb 2003-ban. A 4 Gb NAND flash fejlesztése megmutatja a NAND memóriában rejlő hatalmas növekedési lehetőségeket.

Az új, magasabb kapacitási szinteken esetén a nem felejtő memória már most is jó választás a monolit adattároló eszközök területén, kiváltva a mágnesszalagokat és kis kapacitású merevlemezes meghajtókat. A NAND flash memória a méret-, súly- és teljesítménykorlátokkal rendelkező mobil alkalmazásokat, például notebook számítógépeket, táblaszámítógépeket, mobiltelefonokat, MP3 lejátszókat és PDA eszközöket célozza.

A Samsung 4 Gb NAND flash memória 70 nm-es csomóponttervezéssel készül a 0,025 négyzetmikrométer memóriacella méret eléréséhez, mely jelenleg a legkisebb az iparágon belül. A 4 Gb NAND flash memória az iparág első eszköze, mely 300 angström méretű wolfram kaput használ, amely csökkenti a cellák közötti ellenállást és a zajszintet, így nagyobb teljesítményt kínál a több gigabites memóriákhoz. A Samsung azt reméli, hogy az új wolfram kapu alkalmazható lesz 50 nm-es technológiákhoz is.

A 70 nm-es csomópont technológia lehetőséget nyújt a gazdaságosság növelésére is. A 70 nm-es és a korábbi 90 nm-es egyszerű összevetése alapján a termelés 50 százalékkal növekszikA NAND flash memória globális piaca várhatóan a 2003. évi 3 milliárd dollárról 2007-re 16 milliárd dollárra növekszik, ezzel alig négy év leforgása alatt több mint ötszörös mennyiségnövekedést mutatva. A Samsung 65 százalékos piaci részesedésével reméli vezető szerepének megtartását a NAND flash piac területén. A vállalat a 2001. évi 400 millió dollárról 2002-re 1,1 milliárd dollárra növelte bevételét, és folyamatosan 70 százalékos éves növekedést céloz meg a NAND Flash eladásokban.

DRAM 80 nm-es technológiával
A DRAM technológia területén a Samsung egy 80 nm-es technológiával készülő 512 Mb kapacitású monolit eszközt mutat be. Az új eszköz a Recess Channel Array Transistor (RCAT) technológiát alkalmazza az adatfrissítési jellemzők továbbfejlesztéséhez. A DRAM 80 nm-es csomópont technológiájának bemutatása egy, a lineáris cellaszerkezetnél kisebb területet igénylő háromdimenziós tervezési technológiát vezet be. Az RCAT technológia a DRAM áramkör kapcsolási sémájában minden kondenzátorhoz egy háromdimenziós tranzisztort párosít, így minimalizálja a cellaméretet a kapacitás jelentős fejlesztéséhez. Az új DRAM kis ellenállású wolfram kapukat használ a nagyobb teljesítmény és kis hőmérséklet eléréséhez, és egy nagy k tényezőjű oxidra épülő folyamattal 1,5 V alá csökkenti a feszültségigényt, így megfelel a DDR3 DRAM memóriák egyik szokványos jellemzőjének. A legmagasabb színvonalú technológia tömeggyártása 1 Gb-es és 512 Mb-es kapacitással, másodpercenként 3 Gigabit és annál gyorsabb sebességekkel kezdődik meg.

Fusion Memory
Az új 4 Gb NAND flash és 80 nm DRAM eszközök mellett a Samsung bemutatott egy Fusion Memory nevű új memóriatervezési koncepciót. A Fusion Memory egy integrált, egylapkás memória, amely egyesíti a nagy sűrűségű memóriát és logikát, és szoftveresen is elérhető. Az első Fusion Memory eszköz a OneNAND nevű, egy szilíciumlapkára épített, logikai felülettel rendelkező 512 Mb kapacitású NAND flash memória. A OneNAND elérhetősége csökkenteni fogja a rendszergyártók költségeit és a piacra kerülés időtartamát, mivel nem lesz szükség a NAND flash körüli rendszerkörnyezet optimalizálására. A Samsung arra számít, hogy az új technológia segíti a csak NAND memóriákra épülő rendszerek elfogadását a NOR Flash+memória kombinációk helyettesítő megoldásaként a nagy adatfeldolgozási teljesítményt igénylő alkalmazásokban.