A mágneses memóriáé a jövő?

A japán TDK-val összefogva hozta létre az IBM az úgynevezett forgónyomtaték átvitelű memóriát (spin torque transfer, STT-RAM). A technika lényege, hogy az elektromos áram mágnesbe vezetésével megváltoztatásra kerül a mágneses mező iránya. Ez az irány (ami fel-le és bal-jobb lehet) változást hoz az ellenállás tekintetében; ennek különböző szintje pedig bináris számokként, azaz nullásokként és egyesekként értelmezhető. Jelenleg azonban még csak kísérleti stádiumban vannak a fejlesztések; a 65 nanométeres gyártási eljárással készített merevlemezes prototípus megjelenésére a következő négy évben lehet számítani.

Nem ez az első kiruccanása az International Business Machine-nek a mágneses memóriák területére. Korábban a Kék Óriás már foglalkozott ezzel az adattároló megoldással – a hagyományosabb megközelítésű fejlesztés MRAM névre hallgatott. Az a projekt azonban kudarcba fulladt, mert az IBM mérnökei nem tudták megfelelő mértékben lekicsinyíteni az eszközben levő tranzisztorokat. „Ahogy egyre kisebbé próbáltuk tenni, úgy mind határozottabban jelentkezett a mágneses mező növelésének igénye; ahhoz pedig, hogy továbbra is biztosítani lehessen az adatírást, már nem bizonyult praktikusnak az elgondolás.” – mondta Bill Gallagher, az IBM nemfelejtő memóriatechnikáit kutató részlegének vezető menedzsere.

Gallagher szerint az STT-RAM és az általunk korábban ismertetett fázisváltó memória lehet a nemfelejtő memóriafajták (közel)jövőben megjelenő új generációja. Az IBM fejlesztése ugyan gyorsabb működést biztosít, azonban a PCM jóval nagyobb adatsűrűséget tud felmutatni, vagyis nagyobb kapacitású memóriák hozhatók létre általa. A verseny tehát egyáltalán nem dőlt el, sőt, a következő években fog majd csak igazán kibontakozni.