90 százalékkal kevesebbet fogyasztó processzorokat ígér az Intel

A szilícium hordozórétegen alapuló P csatornás tranzisztorok kapcsán számolhatott be áttörésről az Intel. Mérnökei kutatómunkájuk során felfedezték, hogy vegyes elemekből álló félvezető hozható létre a periodikus rendszerben a szilícium mellett elhelyezkedő anyagokkal. Ez utóbbiakat az angol terminológia III-V materials néven említi, mivel a Mengyelejev-féle táblázat negyedik főoszlopában található a szilícium; a hozzá közel eső elemek pedig a harmadik és az ötödik oszlopban helyezkednek el.

Ez, az egy évvel ezelőtti, N csatornás tranzisztorokkal kapcsolatos hasonló bejelentéssel együtt oda vezet, hogy olyan CMOS logikai áramköri tömbök hozhatók létre, amelyek egyaránt használhatják az N és a P csatornás tranzisztorokat. Ez a kialakítás a jövő mikroprocesszoraiban jóval alacsonyabb üzemi hőmérsékletet eredményez, állítja az Intel. A chipgyártó szerint a feszültség a mai rendszerekhez képest 50 százalékkal csökkenthető, a kapuk pedig napjaink tranzisztoraihoz viszonyítva 90 százalékkal kevesebbet fogyasztanak.

Amennyiben sikerül sorozatgyártásba átültetni a technológiát, az kétféle eredményt hozhat. Vagy a már fent említett, sokkal alacsonyabb fogyasztású lapkák megjelenéséhez vezethet, vagy pedig a napjainkban megszokotthoz hasonló hőtermelésű, de jóval összetettebb, nagyobb tranzisztorszámú CPU-kat lehet általa megalkotni. És nem csak a központi vezérlőegység profitálhat a fejlesztésből: a grafikus processzor, chipkészletek és más, nagymértékben integrált áramkörök is profitálhatnak belőle.

Erre azonban még várni kell. Jelenleg az Intel a fent említett anyagokkal való kutatás folytatásán dolgozik. Ez azt jelenti, hogy még néhány évnek el kell telnie, mire alkalmazásba kerülhet ez a technológia a gyártósorokon.